受AI芯片需求刺激 台积电加速High

今年9月，片需台积电（TSMC）从ASML手上接收了其首台High-NA EUV光刻机，求刺移送至自己的激台积电加速全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的片需开发需求。传闻台积电董事长兼首席执行官魏哲家亲自与ASML谈判并达成了一项协议，求刺通过购买新设备和出售旧型号相结合的激台积电加速方式，将整体价格降低了近20%。片需

据报道，求刺近期台积电3nm产能需求旺盛，激台积电加速大量客户下单使得产能处于满载状态，片需同时即将到来的求刺2nm工艺也受到了客户的欢迎，台积电正在考虑继续扩大2nm产能，激台积电加速满足以AI芯片为首的片需增长需求。随着客户进一步推动人工智能业务发展，求刺在市场需求刺激下，激台积电加速台积电也加快了High-NA EUV光刻机的部署，以便更早地熟悉新技术。

根据台积电的路线图，High-NA EUV光刻机将集成到A14 工艺，预计2027年进入量产阶段。在此之前，需要进行广泛的测试、微调和流程优化，用于1nm阶段的制程工艺中。随着半导体制造工艺日益复杂，成本也随着每个制程节点的开发推进而上涨，每台High-NA EUV光刻机的价格高达3.84亿美元。尽管如此，台积电在技术上的领先有望吸引更多寻找先进芯片制造能力的高端客户。

有分析师表示，加快High-NA EUV技术的开发可能会扩大台积电与竞争对手之间的差距，尤其是三星。台积电在2019年推出了N7+工艺，首次使用了EUV光刻机，当时大概有10台。台积电接下来迅速扩大了EUV光刻技术的应用，也购买了更多的设备，EUV光刻机的销量从2019年至2023年增长了10倍，而台积电占据了其中56%的装机量。

台积电在将新技术集成到大批量生产之前，会根据新技术的成熟度、成本和潜在客户利益进行仔细评估。这是一种系统化，并以客户为中心的方法，到了High-NA EUV时代也会如此。